每經(jīng)記者｜朱成祥    每經(jīng)編輯｜楊夏    

8月8日，功率半導(dǎo)體龍頭英飛凌在馬來西亞居林正式啟動新晶圓廠一期項目的運(yùn)營，一期將專注于碳化硅功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)，并且也包括氮化鎵外延的生產(chǎn)。

在啟動儀式上，英飛凌首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示：“當(dāng)居林新晶圓廠第二期項目建設(shè)完成時，將成為世界上規(guī)模最大的、最具競爭力的200毫米碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠。我們是功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)者，并且很早就預(yù)見到了這一領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展。因此，我們及時并果斷地在寬禁帶半導(dǎo)體（領(lǐng)域），如碳化硅和氮化鎵上進(jìn)行了投資。我們的內(nèi)部制造策略在實現(xiàn)差異化競爭中扮演了重要角色。”

他認(rèn)為：“英飛凌的功率系統(tǒng)解決方案有助于實現(xiàn)綠色和高能效的出行。從硅到碳化硅的轉(zhuǎn)變對于電動汽車來說已經(jīng)在全面展開。另一個對低碳化至關(guān)重要的增長應(yīng)用領(lǐng)域是可再生能源，從發(fā)電到輸電、儲能和用電，我們的產(chǎn)品使綠色能源成為可能。”

除了新能源領(lǐng)域，碳化硅也是降低AI數(shù)據(jù)中心能耗的關(guān)鍵。Jochen Hanebeck表示：“數(shù)據(jù)中心，尤其是對人工智能（數(shù)據(jù)中心）而言，目前它們迅速增長的電力消耗，給我們帶來了巨大的挑戰(zhàn)。今天，數(shù)據(jù)中心大約占全球電力消耗的2%。如果我們不采取行動，到2030年這一比例將上升到7%。根據(jù)不同應(yīng)用提出的特定需求，客戶將需要采用基于碳化硅、硅和氮化鎵的不同解決方案。由于服務(wù)器的散熱空間有限，寬禁帶材料將在未來發(fā)揮重要作用。”

英飛凌在給到媒體的報告中也表示，氣候變化是這個時代面臨的最大挑戰(zhàn)，全球低碳化努力將迅速增加對功率半導(dǎo)體的需求。作為全球功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌不斷進(jìn)行技術(shù)的創(chuàng)新迭代，推出基于硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的新一代功率半導(dǎo)體。這些芯片具有更高的功率密度和更高的能源轉(zhuǎn)換效率，可以實現(xiàn)更小的設(shè)計尺寸和更低的成本。為了滿足對這些芯片日益增長的需求，英飛凌正在投資建設(shè)全球最大、最高效的200毫米碳化硅功率半導(dǎo)體工廠。該晶圓廠一期項目已準(zhǔn)備好于2024年開始量產(chǎn)。

圖片來源：英飛凌官網(wǎng)