每經(jīng)AI快訊，3月18日，宏微科技(688711.SH)發(fā)布投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表公告稱，近年來，公司第三代半導(dǎo)體取得了多項(xiàng)技術(shù)突破。在電動(dòng)汽車領(lǐng)域，車規(guī)級(jí)1200V SiC自研模塊正在研制中，對(duì)應(yīng)的銀燒結(jié)工藝已通過可靠性驗(yàn)證。在封裝市場，SiC混合模塊已在新能源汽車、UPS電源等領(lǐng)域應(yīng)用。同時(shí)，1200V SiC MOSFET芯片研制成功并已通過可靠性驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)小批量出貨；自主研發(fā)的SiC SBD（肖特基勢壘二極管）芯片通過多家終端客戶可靠性驗(yàn)證和系統(tǒng)級(jí)驗(yàn)證，部分產(chǎn)品已形成小批量出貨。