每經(jīng)記者 張靜 發(fā)自成都

三星電子將發(fā)力搶占中國存儲芯片市場。

9月12日，三星電子宣布，位于中國大陸西安的10nm級NAND型閃存(NAND Flash)制造廠將會開始動工，預(yù)期可在2013年底興建完成，并于2014年起開始投產(chǎn)。

三星電子指出，新成立的三星(中國)半導(dǎo)體有限公司按計劃一期投資70億美元，預(yù)計二期持續(xù)投資將達300億美元。使西安廠成為三星有史以來投資額最高的海外芯片制造廠。目前，其已在德州奧斯汀市擁有另外一座海外半導(dǎo)體廠房。

據(jù)《每日經(jīng)濟新聞》記者了解，三星電子西安高端存儲芯片項目是三星電子最領(lǐng)先的技術(shù)，每月可生產(chǎn)10萬片，預(yù)計一期投資達產(chǎn)后，可形成660億元人民幣的年銷售收入，聚集160余家配套企業(yè)入駐，提供萬余就業(yè)崗位,近期已確定44家配套企業(yè)進駐西安高新區(qū)。

分析人士稱，作為全球最大的存儲器制造商，三星在中國西安設(shè)廠可以提升中國半導(dǎo)體行業(yè)的制造能力，更重要的是將大大加速三星本土化進程，也將進一步拉開與美光、海力士、東芝等競爭對手的距離。

據(jù)了解，中國生產(chǎn)全球96%的平板電腦和37%以上的智能手機，因此這些產(chǎn)品的核心零配件內(nèi)存芯片的需求也在年年劇增。

根據(jù)市研機構(gòu)Gartner的數(shù)據(jù)，中國市場去年所消費的NAND內(nèi)存芯片，占全球市場一半，規(guī)模達290億美元，是全球最大的芯片消費國。到2015年，中國市場份額將升至55%。對于世界存儲技術(shù)和產(chǎn)品的領(lǐng)先者三星來說，中國市場的價值可謂不言而喻。

而據(jù)IHS iSuppli今年4月發(fā)布的最新研究報道顯示，今年全球NAND閃存營收預(yù)計將達229億美元，較2011年的212億美元增加8%。今后數(shù)年，全球NAND閃存營收將會繼續(xù)保持增長的態(tài)勢，到2016年將會達到309億美元左右。

在NAND閃存“水漲船高”之勢下，今年以來，NAND閃存大廠英特爾、東芝、海力士、三星、美光等均有擴增新產(chǎn)能計劃，向20nm制程發(fā)力。英特爾已經(jīng)量產(chǎn)20nm工藝的128GB NAND閃存產(chǎn)品，預(yù)計下半年即可出貨。，

而三星宣稱將生產(chǎn)工藝十分先進10nm閃存芯片，將長遠發(fā)展立足于中國市場實屬明智之舉，其在西安生產(chǎn)線的投產(chǎn)將滿足日益高漲的NAND Flash需求。

目前，NAND閃存主要應(yīng)用于智能手機、平板電腦以及超極本使用的固態(tài)硬盤等三大主要市場。而三星此次建廠被認為并向增長迅速華為和中興等中國手機制造商供貨。

不過，對于三星在中國建設(shè)芯片廠，iSuppli分析師顧文君在此前《每日經(jīng)濟新聞》記者采訪時表示，其對國內(nèi)企業(yè)來說，未必是件好事。目前三星的閃存芯片約占國內(nèi)30%的市場份額，直接在中國生產(chǎn)產(chǎn)品必然會降低其生產(chǎn)成本，并鞏固其在中國市場的霸主地位，行業(yè)集中度會繼續(xù)加強，這樣的話，國內(nèi)企業(yè)的議價能力也會有所減弱,其他閃存企業(yè)的日子或更艱難。